IC Insights prognozuje, że wydatki kapitałowe na pamięć flash NAND wzrosną w tym roku o 8% do 29,9 mld USD, przewyższając poprzedni rekordowy poziom 27,8 mld USD z 2018 r. Wydatki kapitałowe na pamięć flash wzrosły w 2017 r., kiedy branża przeszła na technologię 3D NAND i od tego czasu osiągnęły wartość 20,0 miliardów dolarów rocznie. Przewiduje się, że w 2022 r. wydatki kapitałowe na pamięć flash wzrosną do 29,9 mld USD, ponieważ duzi i mali dostawcy utrzymają umiarkowanie agresywne poziomy wydatków w kolejnym roku.
29,9 mld USD wydatków stanowi 16% z 190,4 mld USD prognozowanych wydatków kapitałowych dla całego przemysłu IC w 2022 r. i wyprzedza tylko segment odlewniczy, który według prognoz będzie stanowił 41% nakładów inwestycyjnych w branży w tym roku.
Nowe i niedawno zmodernizowane fabryki pamięci flash NAND obejmują Pyeongtaek Lines 1 i 2 firmy Samsung (które są również używane w DRAM i odlewni); Inwestycja Samsunga w fazie 2 w Xi’an w Chinach; Fab 6 firmy Kioxia (Flash Ventures) i Fab K1 w Iwate w Japonii; oraz trzeci zakład Micron w zakresie pamięci flash w Singapurze. Ponadto SK Hynix wyposażył pozostałą przestrzeń w swoim zakładzie M15 na pamięć flash NAND.
W okresie prognozy potrzebne będą nowe fabryki i nowy sprzęt, ponieważ dostawcy pamięci flash NAND przygotowują się do wyścigu o ponad 200 urządzeń warstwowych, który rozpocznie się pod koniec 2022 r. i do 2023 r. Samsung i Micron mogą być pierwszymi, którzy rozpoczną masową produkcję 200-warstwowych urządzeń jeszcze w tym roku. Obie firmy, a także SK Hynix, obecnie produkują seryjną 176-warstwową pamięć NAND. Fabryka wafli Samsunga w Xi’an w Chinach jest (i będzie) kluczowym miejscem produkcji najnowocześniejszej technologii NAND z dwoma fabrykami – każda zdolna do 120 000 uruchomień wafli miesięcznie, gdy będą w pełni operacyjne. W związku ze zwiększonym naciskiem na aplikacje pamięci masowej dla przedsiębiorstw, SK Hynix spodziewa się migracji do 196 warstw w 2023 roku.